半導體作為電子產品的核心，代表著信息產業(yè)的核心技術。我國近年來不斷加大對半導體行業(yè)的研發(fā)投入，一改以往國產芯片水平落后的局面。國產自研芯片也越來越多，華為麒麟990 5G、虎賁T7520、玄鐵910等國產芯片，都成為了國產半導體領域中實現(xiàn)突破的實例。如今的華為海思、紫光展銳，都可以和高通、三星、聯(lián)發(fā)科等國際領先的芯片公司一爭高下。而國內還有一家半導體芯片巨頭，默默無聞了四年時間內，最近一舉成名，打破了國外芯片的壟斷地位。

最近，長江存儲正式對外宣布：128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，同時這顆X2-6070閃存芯片還直接刷新了三項記錄，分別是：已知業(yè)界最大單位面積存儲密度、最高傳輸速度、最高單顆NAND存儲芯片容量。從目前長江存儲所研發(fā)的閃存芯片來看，可以和擁有的“128層堆疊技術水平”的三星相媲美。

要知道在長江存儲剛成立的時候，國產內存芯片幾乎依賴于進口。我國作為全球最大的芯片需求國，雖然國內半導體市場接近全球的三分之一，但國內半導體自給率水平非常低，特別是核心芯片極度缺乏，國產占有率都幾乎為零。而芯片關乎到國家的安全，國產化迫在眉睫。國家因此也將研發(fā)半導體產業(yè)新技術提升至國家戰(zhàn)略高度，近年來也是不斷地加大對國產芯片企業(yè)的扶持力度。不得不說大基金投資的成果顯著，推動了國內半導體產業(yè)發(fā)展。

2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北省科投等，一起聯(lián)合成立了長江存儲。長江存儲成立之初，其技術研發(fā)上就一直落后于三星等廠商。直到長江存儲推出一項突破性的技術——Xtacking技術，能夠直接提高3D NAND閃存的I/O高性能，以及更高的存儲密度。通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入，長江存儲已經走過了32層、62層的閃存歷程，現(xiàn)在更是成功研發(fā)出128層的兩款產品，這確立了公司在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力，并打破了被美、日、韓把控的內存定價權以及市場的壟斷，達到了國際領先水準。這也意味著我國進一步降低對于國外芯片產品的依賴。

作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短幾年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越，這是數(shù)千長存的科研人員汗水和心血的凝聚的成果。可以看到越來越多的國產廠商在不斷地尋求技術的突破，雖然國產半導體行業(yè)還存在一些劣勢和缺點，但是相信他會越來越好，讓我們期待越來越多的國產芯片誕生。

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